Samsung RT55EANS Specifikace Strana 112

  • Stažení
  • Přidat do mých příruček
  • Tisk
  • Strana
    / 138
  • Tabulka s obsahem
  • KNIHY
  • Hodnocené. / 5. Na základě hodnocení zákazníků
Zobrazit stránku 111
112 Intel
®
Atom™ processor CE4100 Ref# 420826
Platform Design Guide
Intel Confidential
8.5.6 NAND_RY_BY_N Signal Recommendation
Sodaville
NAND1
Sodaville
NAND1
Traces Layer Min Length
Max
Length
Trace:
Width/Spacing
Spacing from other
signals
w_TL0
Breakout
0.1” 0.5” 4 mils >=4 mils
w_TL1
Micro strip
0.5” 5.0” 4 mils >=8 mils
w_TL2
Micro strip
0.1” 1.0” 4 mils >=8 mils
w_TL3
Micro strip
0.1” 0.5” 4 mils >=8 mils
Notes:
Topology shown is for NAND_RY_BY_N between SDV and the first NAND (in socket) only.
All trace impedance required to be 55 Ω +/- 10%.
Pull-up resistors are 5% tolerance, Rpu= 453 +/- 1%.
All signals should be referenced to ground. Reference to unbroken power plane is also accepted.
Zobrazit stránku 111
1 2 ... 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 ... 137 138

Komentáře k této Příručce

Žádné komentáře